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邁可諾技術(shù)有限公司

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    半導(dǎo)體制程技術(shù)進(jìn)步的“燃料”

    閱讀:121 發(fā)布時(shí)間:2020/11/19

    產(chǎn)業(yè)鏈轉(zhuǎn)移的quanqiu大趨勢(shì)為中國(guó)大陸集成電路行業(yè)的發(fā)展提供了新機(jī)遇。

    diyi次產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移(美國(guó)→日本):技術(shù)、利潤(rùn)含量較低的封裝測(cè)試環(huán)節(jié)。
    第二次產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移(日本→韓國(guó)、中國(guó)臺(tái)灣):集成電路精細(xì)化分工。
    第三次產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移(韓國(guó)、中國(guó)臺(tái)灣→中國(guó)大陸):第三階段轉(zhuǎn)移為產(chǎn)業(yè)規(guī)模。


    據(jù)第三方統(tǒng)計(jì),至2022年quanqiu光刻膠市場(chǎng)規(guī)模將超過(guò)100億美元。

    受益于半導(dǎo)體、顯示面板、PCB產(chǎn)業(yè)東移的趨勢(shì),2019年中國(guó)光刻膠市場(chǎng)本土企業(yè)銷(xiāo)售規(guī)模約70億元,quanqiu占比約10%,發(fā)展空間巨大。目前,中國(guó)本土光刻膠以PCB用光刻膠為主。


    光刻膠又稱(chēng)光致抗蝕劑,是一種對(duì)光敏感的混合液體。在紫外光等光照或輻射下,溶解度會(huì)發(fā)生變化的薄膜材料。

    按曝光波長(zhǎng),可主要分為G-line、I-line、KrF、ArF d&ArF i、EUV等光刻膠。

    在大規(guī)模集成電路的制備中,光刻膠要通過(guò)預(yù)烘、涂膠、前烘、對(duì)準(zhǔn)、曝光、后烘、顯影和蝕刻等環(huán)節(jié),將光罩(掩膜版)上的圖形轉(zhuǎn)移到硅片上。

    光刻膠是集成電路制造的重要材料,光刻膠的質(zhì)量和性能是影響集成電路性能、成品率及可靠性的關(guān)鍵因素。

    光刻工藝的成本約為整個(gè)芯片制造工藝的35%,并且耗時(shí)約占整個(gè)芯片工藝的40%-50%。光刻膠材料約占IC制造材料總成本的4%,市場(chǎng)巨大。




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